为提高深圳集成电路设计水平，增加企业研发人员与世界一流专家学习和对话的机会，国家集成电路设计深圳产业化基地将与工业和信息化部人才交流中心芯动力人才计划联合举办集成电路静电保护的要求、设计与优化培训。本次培训特邀IEEE Fellow、北方民族大学特聘教授、微电子与固体电子器件研究中心主任 刘俊杰教授及苏州智聚芯联特聘高级顾问赖大伟作为讲师。
具体安排如下：
培训费用：公益培训
以深圳企业名义报名，培训报名表需加盖公章，押金500元/次/人（原则上每家企业不超过3人），按时参加培训人员，将原渠道退回押金，若无故缺席则不退押金；
若同一家企业报名人数大于3人，超出人数需在培训前按500元/次/人缴齐资料费（不需另交押金）；
以个人名义报名，培训费每人1000元（不需另交押金）。
培训时间：2024年9月5日-6日（周四-周五）
培训地点：深圳市南山区深圳软件园1期4栋615室
主办单位：国家集成电路设计深圳产业化基地
协办单位：工业和信息化部人才交流中心芯动力人才计划
培训方式：线下参训
培训讲师：刘俊杰是北方民族大学特聘教授/微电子与固体电子器件研究中心主任，国家高层次人才专家，教育部长江学者讲座教授，教育部海外名师，美国国家创新学院院士，新加坡制造技术学院院士，美国电气电子工程学会（IEEE）会士，英国电子工程学会（IET）会士，新加坡人工智能学会（AAIA）会士。刘俊杰教授是国际集成电路可靠性权威之一，也是国内静电保护领域的开拓者，过去30年致力于提升集成电路可靠性的科研和教学，建立了中国第一批静电保护实验室，培养了许多相关的专业人才。
赖大伟于中国台湾交通大学电子专业硕士毕业。15年以上海外知名半导体企业任职经验， 2003年加入台积电任职IO ESD电路工程师；2010年加入新加坡 GlobalFoundries 任职ESD技术经理；2013年至2021年加入荷兰NXP公司，任职IO ESD首席架构设计师。现任苏州智聚芯联特聘高级顾问。赖大伟长期致力于IC领域中的IO/ESD保护模块设计，在多家国际头部公司担任核心职位，其技术涵盖CMOS、SOI和HV（高压） BCD等多种工艺，从0.18um到16nm线宽均具有丰富的经验。有丰富的车载ESD的设计经验，在NXP工作期间，负责40nm和16nm先进工艺的片上ESD保护架构设计，解决车载以太网芯片系统级保护难题，单颗芯片降本约30%，广泛用于其他工艺和产品。并于2017年被“EOS/ESD Symposium”授予“Industry Contribution Award”
在个人创新研发方面，赖大伟同志已申请并获得87项专利，这些专利经常被业界广泛引用和应用。此外，还在IEEE等国际权威期刊上发表了多篇科技论文，获得较高的学术评价。
联系人：冯甜 手机/微信：17692416764
适合参加培训人员： 芯片设计工程师
具体培训内容与安排如下：
刘俊杰 |
9/5 09:00-12:00 13:00-16:00 | 集成电路静电保护背景、设计要求和EDA构建 如何设计大信号接口有正负工作电压震荡的高鲁棒性静电保护方案 说明如何设计小信号接口有很低的工作电压与要求很小的寄生电容的高鲁棒性静电保护方案 咨询、答疑环节 |
赖大伟 |
9/6 09:00-12:00 13:00-16:00 | 高压ESD与Latchup的背景、挑战和测试 高压SCR的设计要求和保护方案 如何避免Latchup的设计方案以及优化措施 咨询、答疑环节 |
本次培训报名大于50人开班，70人截止，先到先得。报名方式：登录网站http://www.szicc.org.cn/-点击培训安排-报名-培训申请-提交-押金缴纳。报名信息经审核后将回复确认，一经确认，不能无故缺席，培训现场将实名签到。
