为服务深圳地区集成电路企业，帮助企业培养IC设计人才，营造高端芯片设计产业环境，提高深圳集成电路设计水平，通过理论讲述、案例分析和设计实验，助力企业员工全面提升专业技能与实践能力。国家集成电路设计深圳产业化基地将举办关于开展电源类芯片设计与仿真验证技术培训。本次培训特邀国内电源芯片设计高级工程师，崔海良、卓辰昊作为讲师。
具体安排如下：
培训费用：公益培训，无需缴纳押金
培训时间：2025年1月13日-15日（周一-周三）9：00-17:30
培训地点：深圳市南山区深圳软件园1期4栋615室
主办单位：国家集成电路设计深圳产业化基地
培训方式：线上线下参训
培训讲师：崔海良，电源方向专家，硕士研究生毕业于西安电子科技大学，目前就任国内某知名大厂，15年以上电源芯片开发与测试工作经验，曾任中兴通讯微电子研究院高级工程师；卓辰昊，硕士研究生毕业于西安交通大学，目前就任国内某知名大厂，拥有多年高速ADC和射频前端滤波器研究与设计工作经验，曾任紫光国芯高级工程师。
联系人：郭俊志 手机/微信：13728982766
适合参加培训人员：电源芯片设计工程师
具体培训内容与安排如下：
序号 | 授课内容 | 学时 |
1 | 电源类设计基础，包括集成电路中电路设计的深度分析理念、BJT及MOS晶体管的纵深理解、PDK及高低压管的解读和运用、IO布局及影响等工程实际基础。 本节以电路理论结合仿真工具内设计实例为主要内容，重点关注理论与实际设计间的转换异同。 | 3学时 |
2 | LDO结构设计及仿真验证。包括（1）LDO的工作原理、设计及仿真经验讲解。（2）传统型LDO、多环路LDO、轻载LDO、快速响应LDO、超低压/高压LDO等常见LDO结构工作原理和设计要点。（3）数字LDO、数模混合LDO、DC-DC型LDO等混合类新结构及未来发展趋势。 本节以Cadence软件实际仿真截图为例，直观讲述LDO仿真验证经验，并分享LDO的各类结构原理和设计发展趋势。 | 5学时 |
3 | LDO外围电路设计，包括（1）基准电压源设计：传统Banda型、全MOS型等结构的工作原理及设计思路。（2）欠压、过压保护，过温、过流保护等外围电路的工作原理及实际电路分析。 本节着重于实际芯片中包含的基准源、保护电路的设计经验，以及结合LDO核心进行实际功能验证。 | 3学时 |
4 | LDO核心结构稳定性及可调性设计，包括（1）核心放大器：两级、三级、折叠及套筒式放大器设计方法，放大器闭环稳定分析、稳定性仿真及实际电路调整经验。（2）偏置分析及设计：包括多接口复杂偏置电路的整理分析经验、电流镜稳定性PVT设计及可测、可调性结构分享。（3）LDO其他设计经验，如版图设计差异性分析、IO性能影响、后仿真调试验证等。 本节主要讲授LDO的核心部分设计方法及设计经验，以实际电路为例，重点讲授放大器的稳定性设计及偏置电路的可调性和PVT设计理念。 | 5学时 |
5 | 上机实例1 低压多环路LDO设计上机实训：以低压无片外电容快速响应型LDO设计为例，给出基于某标准CMOS工艺的LDO核心电路，并进行设计和稳定性调试训练。完成提高PSRR、快速响应、基准源的额外改进或设计。 本节针对学员的基础进行适应性提高，针对基础薄弱或刚入行的学员进行功能性设计及仿真验证能力的培养提升。针对有一定经验学员，进行系统高效性设计和结构深度理解的进一步提高。 | 4学时 |
6 | 上机实例2 高压LDO芯片设计上机实训：以高压快速响应型LDO设计为例，给出基于某BCD工艺的包含外围电路的完整LDO电路，进行设计调试训练。在已有部分版图基础上，完成版图设计、DRC和LVS的验证，参数提取及后仿真验证，分析可提高的改进措施。 本节目的为针对芯片设计的进一步提高，对基础薄弱或刚入行的学员，可根据具体实例设计，提高整体芯片设计流程的掌握。针对有一定经验学员，进行版图后仿真、电路修改的进一步提升。 | 4学时 |
7 | 其余LDO设计、仿真及验证的经验分享 | 4周（线上答疑） |
本次培训报名大于45人开班。报名方式：登录网站http://www.szicc.org.cn/-点击培训安排-报名-培训申请-提交（注：不需缴纳押金）。报名信息经审核后将回复确认，一经确认，不能无故缺席，培训现场将实名签到。报名截止时间为1月12日。
