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关于开展高性能CMOS运算放大器课程培训的通知

为提升深圳地区集成电路设计的专业水平,培养企业员工构建科学思维方式和解决复杂集成电路问题能力,通过理论讲述、案例分析和设计实验而达到掌握复杂模拟芯片设计方法与熟悉运用设计工具。国家集成电路设计深圳产业化基地将举办关于开展高性能CMOS运算放大器设计与实践课程培训。本次培训特邀西安交通大学微电子学院教授,博士生导师范世全作为讲师。

具体安排如下:

培训费用公益培训

培训时间2025年8月6日-8日(周三-周五)9:00-17:30

培训地点:深圳市南山区深圳软件园1期4栋615室

主办单位国家集成电路设计深圳产业化基地

培训方式线上线下参训

培训讲师:范世全,工学博士,西安交通大学微电子学院博士生导师。主讲本科生“双极集成电路设计”、“集成电路封装技术”、“集成电路设计基础”和研究生“模拟CMOS集成电路设计基础”等课程。指导本科生、研究生参加集创赛并多次获得国家级一/二/三等奖。长期从事数模混合集成电路低功耗设计方法学、新型器件、硅基传感等的设计与研究,主要包括电源管理、能量收集、模数转换、新型硅基器件与传感、MEMS接口电路等方面;先后主持国家自然科学基金2项,国家重点研发计划课题2项、子课题1项,横向课题若干,在国内外知名刊物及国际会议上发表论文70余篇,以第一完成人获国家发明专利10余项,以第二完成人(Co-PI)申请美国发明专利2项、获授权1项,以第二完成人获陕西省高等学校科学技术一等奖1项、第四完成人获陕西省科学技术发明一等奖1项。

联系人:陈晓庄        手机/微信13246678762

适合参加培训人员:模拟集成电路设计工程师

具体培训内容与安排如下

序号

授课内容

课时

1

运算放大器基本结构:介绍共源级、共栅级、共源共栅级和差分放大器等运放基础结构,引入小信号分析和大信号分析运放的共模与差模行为,并引入增益与频率响应基础知识。

2学时

2

设计指标与电路实现关系分析:系统讲解运放设计关键指标(如增益、带宽、相位裕度、压摆率、共模抑制比、功耗等)与电路结构的对应关系;以典型参数为例解析指标如何影响系统性能以及各指标之间的折衷关系。

4学时

3

输入级设计:比较PMOS/NMOS输入差分对的特点,讨论输入失调电压,引入输入级的噪声分析。

2学时

4

增益提升级设计:介绍共源共栅级、套筒式结构以及增益提升技术等结构,分析各类结构对增益、带宽、输出阻抗的影响。

2学时

5

输出级设计:比较共源输出、源极跟随输出、推挽输出级(class-AB)等结构的优缺点;讲解输出阻抗、输出摆幅、驱动能力等优化方法。

2学时

6

性能指标优化设计:深入分析关键电路性能优化方法:失调电压补偿技术;噪声降低技术;带宽提升和稳定性补偿;功耗/面积优化策略。(配合案例分析)

4学时

7

高性能运算放大器设计与仿真验证:实战项目驱动,完成从结构选型、参数计算、电路设计、版图布局初探、仿真验证到性能分析的完整流程;使用EDA工具进行DC/AC/瞬态/噪声/温度漂移等仿真。

8学时

8

高性能运算放大器设计与仿真验证:指导学生完成高性能CMOS运放设计与仿真验证,解决设计中遇到的问题,提升系统性思维与工程能力。

4周(线上答疑)

本次培训报名大于30人开班,50人截止,先到先得。报名信息经审核后将回复确认,一经确认,不能无故缺席,培训现场将实名签到。


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