为提高深圳集成电路设计水平，增加企业研发人员与世界一流专家学习和对话的机会，深圳市产业园区综合服务中心（国家集成电路设计深圳产业化基地）将与北京芯行家科技有限公司联合举办SiC 功率器件研究培训。
具体培训安排如下：
培训费用：公益培训
培训时间：2025年11月20日-11月21日
主办单位：国家集成电路设计深圳产业化基地
协办单位：北京芯行家科技有限公司
培训方式：线下参训
培训讲师：
王燕，清华大学长聘教授、博士生导师。分别于1988年6月和1991年6月获得西安交通大学电子工程系工学学士学位和工学硕士学位，1995年4月在中国科学院半导体研究所获得半导体物理与器件专业理学博士学位。1999年进入清华大学微电子学研究所CAD技术研究室工作，2004年晋升为教授。自2000年起先后担任微电子学研究所/微纳电子学系CAD技术研究室副主任、主任，副所长/系副主任，现为清华大学模型、模拟与CAD技术团队负责人，半导体物理与器件（大三专业核心课、研究生专业必修课）主讲教师。于2004年晋升教授，现为International Journal of Computational Electronics副主编（2017年~至今）、中国仿真学会集成微系统建模与仿真专业委员会副主任（2017年~至今），EDA 开放创新合作协会技术管理委员会副主席（2020~至今），北京工业人工智能芯片器件-电路协同仿真技术重点实验室副主任（2024~至今）。长期从事半导体器件（包括Si、GaN和SiC等功率器件）研发、器件建模与参数提取、射频毫米波集成电路设计等方面的工作，承担了多项国家973/863、重点研发计划、重大专项计划、国家自然科学基金等多个国家级科研项目，以及国内头部企业的委托项目，取得了多项国内领先与国际先进的研究成果。主持的“集成电路建模与仿真关键技术”(EDA)项目获得2018年中国仿真学会科技进步一等奖（排名第一）。现已发表论文200余篇，其中在EDA领域顶级会议：DAC、DATE、ASPDAC和期刊T-CAD，集成电路领域顶级会议ISSCC、VLSI、CICC、RFIC和期刊 TCAS-I，TCAS-II，TMTT，半导体器件领域顶级期刊 EDL、TED等发表了多篇论文。曾7次在重要国际会议上获得最佳论文奖，其中包括CICC‘2012，DATE’ 2018，RFIC“2024；此外，曾多次获得重要国际会议的最佳论文提名。
具体培训内容与安排如下：
SiC是第三代宽禁带半导体材料的代表，在击穿场强、电子饱和漂移速度，热导率等物理特性上更有优势，因此SiC 器件和功率模块较Si具有更优异的电气特性，也是能够超越摩尔定律的突破路径之一，被广泛应用于新能源领域（光伏、储能、充电桩、电动车等）。
本课程首先将全面、系统地介绍SiC 全产业链的国内外发展趋势，从SiC材料的性能，器件设计与制造，模型建立，模组开发以及封装等几个方面进行讲授。然后，深入讨论从器件元胞设计，模组设计到封装的模型、工具与方法学，并突出设计的挑战与其相应解决方案。
一、碳化硅材料概述
二、碳化硅电力电子器件的分类
三、碳化硅功率器件应用
Ø 车规级应用
Ø 光伏应用
Ø 电力应用
四、SiC MOSFET器件的元胞设计
Ø 平面型MOSFET
Ø 构槽型MOSFET
Ø 超结MOSFET
Ø 场板，结终端与场限环设计
五、SiC MOSFET器件的静态特性与动态特性评估与优化
六、SiC MOSFET的建模与仿真技术
Ø SiC MOSFET的spice模型建立
Ø 模型参数提取技术
七、 SiC MOSFET及模组的封装技术
Ø 封装的多物理场仿真技术
Ø 封装优化技术
Ø 逆变器的设计技术
八、 SiC器件的可靠性
九、 SiC器件的未来发展趋势
Ø SiC 器件vs GaN器件
Ø SiC 器件vs IGBT器件
本次培训报名大于50人开班，70人截止，先到先得。
【报名方式】：添加陈晓庄微信（13246678762），发送报名表。
报名信息经审核后将回复确认，一经确认，不能无故缺席，培训现场将实名签到。
