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关于开展大功率半导体器件制造中的常见问题及其应对方法专家讲座的通知

为提升深圳地区集成电路设计的专业水平,培养企业员工构建科学思维方式和解决复杂集成电路问题能力。国家集成电路设计深圳产业化基地将举办关于开展大功率半导体器件制造中的常见问题及其应对方法专家讲座。本次培训特邀俄亥俄大学博士,研究员,高密度功率器件先进制程专家李铁生作为讲师。

具体安排如下:

培训费用公益培训

培训时间2026年1月9日(周五)15:00-17:00

主办单位国家集成电路设计深圳产业化基地

培训方式线上参训

培训讲师:李铁生,俄亥俄大学博士,研究员。精通半导体工艺集成、器件工艺设计与技术研发管理等领域,国家级及地方级领军人才认证。持有美国发明专利42项、中国发明专利28项,发表多篇半导体领域国际论文。在半导体领域具备深厚的研究背景与丰富的实践经验,先后在全球多家知名半导体企业担任重要职务,积累了广泛的行业资源与影响力。在半导体工艺集成、器件设计和产品研发方面取得了一系列重要科研成果,尤其在高密度功率器件和先进制程技术领域贡献显著。

联系人:陈晓庄        手机/微信13246678762

适合参加培训人员:半导体领域研发设计、制造工程师

具体培训内容如下

序号

授课内容

1

DMOS的进化与发展

2

简单的开关电源电路举例

3

DMOS’ built-in 内建二极管

-对肖特基 二极管的需求

--正向压降的损耗

--反向恢复的损耗

-Tub 的引入

4

与寄生电容相关的损耗

5

SGT (shield gate trench) MOSFET

-Crss 屏蔽

-RESURF effect

-三段式结构

6

有关超结

7

有关IGBT


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